Технологии // Четверг, 19 сентября
Все новости на NEWSRU.com
Технологии

Специалисты из США и Японии обещают к 2018 году наладить коммерческий выпуск оперативной памяти следующего поколения

25 ноября 2013 г.
время публикации: 18:21
Специалисты из США и Японии обещают к 2018 году наладить коммерческий выпуск оперативной памяти следующего поколения
Global Look Press

Японские и американские специалисты объявили о начале широкомасштабных разработок нового типа оперативной памяти. Вместо динамической памяти с произвольным доступом (DRAM), которая повсеместно используется в современных компьютерах и смартфонах, светила науки предлагают использование магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM). Свои усилия в рамках революционного проекта объединили более двадцати компаний, среди которых есть такие флагманы, как Tokyo Electron, Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics, Hitachi и американский гигант Micron Technology, сообщает портал CNET.

По словам ученых, новый тип памяти может увеличить производительность цифровых устройств в десятки раз, при этом снизив их энергопотребление. Если объяснять популярно, то разница между DRAM и MRAM состоит в разном способе хранения информации. Если DRAM использует для этого электрические заряды, то MRAM хранит информацию с помощью магнитных моментов, для поддержания которых нужно гораздо меньше энергии, что упрощает работу с проводниками и стабилизаторами.

Разработки в этой области будут вестись с использованием интеллектуального капитала нескольких десятков ученых из японского Университета Тохоку, во главе исследователей будет стоять профессор Тетсуо Эндо. Полномасштабная работа над проектом начнется в феврале 2014 года. Массовый выпуск устройств на основе MRAM, впрочем, обещают наладить не ранее 2018 года.

Важно отметить, что специалисты из Университета Тохоку не единственные, кто занимается перспективной разработкой. Компания Everspin Technologies обещает в самом ближайшем будущем начать выпускать MRAM память, а инженеры из компании Buffalo уже в 2015 году обещают выпустить первый SSD с ST-MRAM-буфером, как раз разработанным энтузиастами из Everspin, сообщает 3DNews.

Работа над технологиями магниторезистивной памяти MRAM началась в 90-х годах прошлого столетия. Главным преимуществом этого типа запоминающих устройств является энергонезависимость. Сторонники технологии верят, что MRAM станет единым стандартом компьютерной памяти, хотя до сих пор решение не получило распространения на рынке. Лабораторные успехи, о которых время от времени докладывают разработчики, не приближали стадии коммерческого использования MRAM.

А совсем недавно и российские разработчики сообщили о начале работ на основе MRAM. Совместное предприятие "Роснано" и Crocus Technology - "Крокус Наноэлектроника" - запустило первую очередь завода по производству магниторезистивной памяти. Как сообщает РБК, к концу 2014 года его производительность должна составить 500 пластин в неделю.

facebook

Четверг, 19 сентября 2019 г.

На главную   NEWSru.com
Автоновости   Недвижимость
Технологии   В блогах
Подписка (RSS)   Версия для десктопа


© NEWSru.com 2000-2019