Технологии // Четверг, 21 ноября
Все новости на NEWSRU.com
Технологии

Samsung тестирует микросхемы памяти нового типа

13 апреля 2012 г.
время публикации: 10:00
Samsung тестирует микросхемы памяти нового типа
Global Look Press

Samsung Electronics готовится к массовому выпуску нового типа флеш-памяти, позволяющего хранить еще больше данных в более компактном виде. Новые чипы NAND-памяти ориентированы на использование в смартфонах, планшетах и ультрабуках. Речь идет о чипах класса TLC (triple-level cell), способных хранить до трех бит данных на одну физическую ячейку памяти, сообщает CyberSecurity.

До сих пор чипы флеш-памяти существовали в двух форматах - SLC (single-level cell) и MLC (multi-level cell), позволяющие хранить 1 или 2 бит данных на одну физическую ячейку памяти. Первые обладают максимальной скоростью работы и высокой надежностью хранения, поэтому ориентированы на серверы и работу с критически важными приложениями, тогда как MLC дешевле, предлагают более высокую плотность размещения данных, но не позволяют работать на таких же скоростях, как SLC.

Память типа TLC уже применяется в некоторых портативных устройствах хранения, в частности USB-дисках, букридерах и навигаторах, где требования к чтению/записи достаточно низки. Осталось испытать ее в режиме повседневного использования, прежде чем выводить на рынок. Этим сейчас и занимаются производители, в частности Samsung.

По словам Райана Смита, менеджера по маркетингу подразделения Samsung SSD, чипы TLC принципиально работают точно также, как и два его предшественника - высоковольтные импульсы модифицируют положение затворов в ячейках памяти, обозначая логический ноль или логическую единицу, из последовательности нулей и единиц складываются байты, те переходят в килобайты и так далее.

Однако TLC хранят до 3 бит на одну ячейку, что позволяет при равной с SLC и MLC площади хранить больше данных, снижая в конечном итоге стоимость чипа в пересчете на гигабайт хранимых данных. С другой стороны, сбой всего в одной ячейке памяти "губит" сразу три бита, поэтому цена логических ошибок в TLC-модулях выше. Кроме того, производительность тут является еще одним узким местом: получение нужного бита представляет собой процесс провода заряда через три "этажа", а не через два или один.

В Samsung говорят, что создали специальный тип коррекционного процессора, который справится со многими ошибками записи, поэтому значительных сбоев в чипах TLC быть не должно.

По прогнозам корейской компании, TLC-чипы будут по своим характеристикам примерно равны MLC, но они будут более емкими, что сделает их более привлекательным решением для ультрабуков и планшетников.

Смит говорит, что современные потребительские чипы памяти можно считать надежными, если они позволяют записывать примерно по 20 Гб данных ежедневно на протяжении трех трех лет (к корпоративным требованиям значительно жестче). Сейчас TLC проходят как раз подобный "стресс-тест".

facebook

Четверг, 21 ноября 2019 г.

На главную   NEWSru.com
Автоновости   Недвижимость
Технологии   В блогах
Подписка (RSS)   Версия для десктопа


© NEWSru.com 2000-2019